檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "楊宏智".ccommittee (精準) and year="108"
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下,使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求,因此在製程終點控制面臨重大挑…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中,需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性,而拋光墊表面形貌會直接影響…